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J-GLOBAL ID：201902220699330770   整理番号：19A1936473

金属-絶縁体転移近傍のシリコンホイスカにおける変形誘起磁気コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Deformation-induced Magnetoconductance in Silicon Whiskers near Metal-insulator Transition

著者 (4件)： Druzhinin Anatoly (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Ostrovskii Igor (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Khoverko Yuriy (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Liakh-Kaguy Natalia (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ELNANO  ページ： 732-735  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素濃度2~18cm~3のケイ素ホイスカを選択し,-2~-3%までの圧縮変形下で4.2Kにおいて0~14Tの範囲で磁気コンダクタンスを調べた。価電子帯スペクトルにおけるスピン軌道分裂に及ぼす変形の影響を調べた。その結果,kp法による圧縮変形の下で,軽いおよび重い穴分岐の分割が見られた。4.2KにおけるSiホイスカの縦磁気コンダクタンスを研究することにより,スピン分裂エネルギーΔ_oを見出した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  圧縮変形 ,  *ケイ素 ,  価電子バンド ,  *ホイスカ
準シソーラス用語： スピン分裂 ,  k・p法 ,  *磁気コンダクタンス ,  金属-絶縁体転移近傍 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属-絶縁体転移近傍 ,  シリコン ,  ホイスカ ,  誘起 ,  磁気コンダクタンス