文献
J-GLOBAL ID:201902220917224613   整理番号:19A2306924

銅ガリウムジセレニド光電陰極からの太陽水素製造のための原子層堆積による二硫化モリブデン触媒被覆【JST・京大機械翻訳】

Molybdenum Disulfide Catalytic Coatings via Atomic Layer Deposition for Solar Hydrogen Production from Copper Gallium Diselenide Photocathodes
著者 (18件):
資料名:
巻:号:ページ: 1060-1066  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
著者らは,銅ガリウムジセレニド(CGSe)薄膜吸収体上に原子層堆積由来二硫化モリブデン(MoS_2)触媒被覆を適用することにより,光電気化学水素製造のための効率的な広いバンドギャップ光陰極が得られることを実証した。著者らは,CGSe吸収体および硫化カドミウム(CdS)バッファ層,二酸化チタン(TiO_2)界面層,およびMoS_2触媒層を用いて,貴金属を含まないデバイスを調製した。得られたMoS_2/TiO_2/CdS/CGSe光電陰極は,+0.53V対RHEの光電流開始と-10mAcm-2の飽和光電流密度を示し,酸性電解質中で>5hの安定な動作を示した。この素子アーキテクチャの分光学的研究は,被覆層の劣化が不均一に起こり,最終的には基本的なCGSe吸収体を露出させることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
二次電池  ,  電気化学反応 

前のページに戻る