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J-GLOBAL ID:201902221041705966   整理番号:19A1042781

サブ30nmのIn_2O_5Snゲート電極リセスチャネルMOSFET 初期段階診断のためのバイオセンサ【JST・京大機械翻訳】

Sub-30nm In2O5Sn gate electrode recessed channel MOSFET: A biosensor for early stage diagnostics
著者 (3件):
資料名:
巻: 164  ページ: 46-52  発行年: 2019年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,超高感度In_2O_5Snゲート(透明ゲート)凹形チャネル(tGRC)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の,初期ステージの診断用バイオセンサとしての技術計算機支援設計(TCAD)解析について述べた。感度,スイッチング比,およびしきい値電圧シフトなどのキーパラメータを従来のMOSFETと比較した。蛋白質分子を固定化するために,閾値電圧の偏差を反映する蛋白質分子の蓄積によりゲート静電容量が変化するため,空洞をゲート絶縁体領域に埋め込んだ。高感度(1.542)はストレプトアビジン及びAPTES((3-アミノプロピル)トリエトキシシラン)と比較して非常に低いドレインバイアス(0.2V)で蛋白質に対して達成された。さらに,共振器ギャップの変化(8から15nmまで)と酸化物の厚さの制限が,バイオセンサとしてのデバイスに対しても観察された。すべての結果は,既存の相補的金属酸化物半導体(CMOS)技術によるアルツハイマー病,卵巣癌および冠動脈疾患のような蛋白質関連疾患の早期検出技術の道を開く。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
防食  ,  酸化物薄膜  ,  トランジスタ 

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