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J-GLOBAL ID:201902221184598492   整理番号:19A0658840

赤外における高い光ルミネセンス量子収率を実現する非プロトン性溶媒中のHgTe量子ドットの室温合成【JST・京大機械翻訳】

Room Temperature Synthesis of HgTe Quantum Dots in an Aprotic Solvent Realizing High Photoluminescence Quantum Yields in the Infrared
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資料名:
巻: 29  号: 18  ページ: 7859-7867  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非プロトン性溶媒,ジメチルスルホキシドを用いて,室温で完全にHgTe量子ドット(QD)を成長させるために,コンピュータ制御,自動合成法を用いた。成長はTe前駆体の小さな反復添加で行い,反応が進行するにつれてQD濃度とQD直径の間の関係に関して成長軌跡を評価するための生成物の頻繁なサンプリングを可能にした。このように,このアプローチは成長過程の詳細な理解を開発し,得られたQDの品質に関する反応条件の最適化に向けて研究するための有用なツールである。3000nmまでの発光スペクトルと2070nmで17%までの光ルミネセンス量子収率をもつHgTe QDをこの方法により作製した。励起子の配位子振動への結合はこのエネルギー範囲において不可避であるが,成長条件とQD品質に対する注意は,詳細な結合機構に影響を及ぼすことができ,より少ないキャリアトラップはポーラロン媒介結合の程度を減少させる。QD凝集の開始に及ぼす配位子対カチオン比やTe前駆体添加速度などの反応条件の影響も調べた。この方法は容易に拡張可能で,赤外光検出器用のHgTe QD材料を作製するために使用されている。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  コロイド化学一般  ,  無機化合物のルミネセンス 
物質索引 (1件):
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