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J-GLOBAL ID：201902221436307505   整理番号：19A1414404

低コスト金属電極を有する有機トランジスタにおける効率的電荷注入のための接触工学【JST・京大機械翻訳】

Contact engineering for efficient charge injection in organic transistors with low-cost metal electrodes

著者 (3件)： Panigrahi D. (Department of Physics, IIT Kharagpur, Kharagpur 721302, India) ,  Kumar S. (Department of Physics, IIT Kharagpur, Kharagpur 721302, India) ,  Dhar A. (Department of Physics, IIT Kharagpur, Kharagpur 721302, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 17  ページ： 173501-173501-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-半導体界面における電荷注入の制御は,全体的な素子性能に大きく影響するので,一般的に有機電子デバイスにとって非常に重要である。ここでは,電極と活性半導体層の間に高真空蒸着したTPD[N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン]中間層を組み込むことにより,正孔注入効率を高めるための,容易ではあるが効率的な接触改質法について報告する。移動度とオン/オフ比のようなデバイス性能パラメータは,TPDバッファ層の包含後に著しく改善され,より興味深いことに,コスト有効なAgとCu電極を持つデバイスは,典型的に使用されているAuソース-ドレインデバイスより優れたデバイス性能を示すことができた。また,この接触改質技術は,通常用いられる金属酸化物界面改質層よりも効果的であることを観察した。著者らの研究は,ペンタセンエネルギーレベルの改質を通して界面接触抵抗を効果的に低減するTPD中間層の有効性を実証し,結果として素子性能の実質的な改善をもたらす。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 銅 ,  銀 ,  真空蒸着 ,  接触改質 ,  *キャリア注入 ,  エネルギー準位 ,  バッファ層 ,  界面 ,  接触抵抗 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  中間層 ,  有機電子デバイス ,  *有機FET ,  *金属電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属電極 ,  有機トランジスタ ,  電荷注入 ,  工学