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J-GLOBAL ID：201902221495137963   整理番号：19A0229925

非対称エバネセント結合システムを用いたシリコンベースクロススロット導波路用偏光ビームスプリッタ【JST・京大機械翻訳】

Polarization Beam Splitter for Silicon-based Cross-slot Waveguides Using an Asymmetrical Evanescent Coupling System

著者 (4件)： Wu Shengbao (Photonics Information Innovation Center, Hebei, Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science & Technology, Hebei University, Baoding, 071002, China) ,  Feng Ting (Photonics Information Innovation Center, Hebei, Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science & Technology, Hebei University, Baoding, 071002, China) ,  Wang Xichen (Photonics Information Innovation Center, Hebei, Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science & Technology, Hebei University, Baoding, 071002, China) ,  Yao X. Steve (Photonics Information Innovation Center, Hebei, Key Lab of Optic-Electronic Information and Materials, College of Physics Science & Technology, Hebei University, Baoding, 071002, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ACP  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースの交差スロット導波路(CSW)用の小型で広帯域の偏光ビームスプリッタ(PBS)を,二つのCSWとそれらの間の水平スロット導波路(HSW)から成るカスケード非対称エバネセント結合システムを利用することにより提案した。HSWの幅を最適化することにより,TEモードとTMモードを効率的に分離できる非対称方向性結合器を構築した。数値結果は,TM(TE)モードに対する挿入損失が0.16(0.37)dB,消光比(ER)が29.5(24.2)dBの短いPBSが1.55μmで達成され,その帯域幅がER>18dB(TE)に対して約90nmに拡大できることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  帯域幅 ,  挿入損 ,  *ケイ素 ,  *スロット導波管 ,  消光比 ,  TMモード ,  TEモード ,  *非対称性 ,  広帯域 ,  *偏光ビームスプリッタ ,  改変

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非対称 ,  導波路 ,  偏光ビームスプリッタ