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J-GLOBAL ID:201902221534960971   整理番号:19A2367811

新しいマイクロ電池法による豊富な酸素空孔を有するWO_3ベースのヘテロ接合光アノードのその場形成【JST・京大機械翻訳】

In Situ Formation of WO3-Based Heterojunction Photoanodes with Abundant Oxygen Vacancies via a Novel Microbattery Method
著者 (10件):
資料名:
巻: 11  号: 17  ページ: 15467-15477  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非化学量論比半導体材料はエネルギー変換と貯蔵分野で優れた性能を示した。しかし,酸素空格子点を導入するために一般的に使用される水素処理法は高価で危険である。本論文では,還元剤としてZn粉末とFe粉末を用いた新しいマイクロ電池法を開発し,酸素空格子点修飾WO_3-x膜と酸素欠損ヘテロ接合膜(ZnWO_4-x/WO_3-xとFe_2O_3-x/WO_3-x)を室温で合成した。調製したWO_3-xとZnWO_4-x/WO_3-xヘテロ接合膜は,改善された光電気化学性能を示した。このマイクロ電池法は,室温で粉末や膜を含む半導体材料に酸素空格子点を迅速に導入できることが注目されている。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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太陽電池  ,  酸化物薄膜 
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