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J-GLOBAL ID：201902221796308959   整理番号：19A2299030

アナターゼTiO_2のバンド工学のための(TiO_2)_1-x(TaON)_x固溶体【JST・京大機械翻訳】

(TiO₂)_1-x(TaON)_x Solid Solution for Band Engineering of Anatase TiO₂

著者 (6件)： Suzuki Atsushi (Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan) ,  Hirose Yasushi (Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan) ,  Hirose Yasushi (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan) ,  Nakao Shoichiro (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan) ,  Hasegawa Tetsuya (Department of Chemistry, The University of Tokyo, Japan) ,  Hasegawa Tetsuya (Kanagawa Academy of Science and Technology, Japan)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 30  号： 24  ページ： 8789-8794  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナターゼTiO_2のバンドエンジニアリングをアナターゼ(TiO_2)_1-x(TaON)_x(TTON)固溶体によって達成した。TTON(0.1≦x≦0.9)のエピタキシャル薄膜を,(LaAlO_3)_0.3(SrAl_0.5Ta_0.5O_3)_0.7基板上に窒素プラズマ支援パルスレーザ蒸着により合成した。アナターゼTTONのエピタキシャル成長をX線回折により確認した。TTON薄膜の格子定数はVegard則に従ってTaON含有量と共に増加し,完全固溶体の形成を示した。TTON薄膜のバンドギャップ,バンドアラインメント,および屈折率を分光偏光解析法とX線光電子分光法を組み合わせて調べた。アナターゼTTONのバンドギャップはxの増加と共に系統的に減少し,主に浅いN2p軌道の混成の結果として価電子バンドの広がりにより引き起こされた価電子帯最大の上方シフトのためであった。伝導帯極小の位置は化学組成に敏感ではなく,可視光による光触媒水分解に適したアナターゼTTONのバンド配列を形成した。アナターゼTTONの屈折率はxの増加と共に単調に増加した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *固溶体 ,  バンドギャップ ,  薄膜成長 ,  *アナターゼ ,  薄膜 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  化学組成 ,  光触媒 ,  X線回折 ,  屈折率 ,  格子定数 ,  可視光 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： Vegard則 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： アナターゼ ,  バンド ,  工学 ,  TaON ,  固溶体