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J-GLOBAL ID:201902221876789261   整理番号:19A1951832

CuGaSe_2薄膜太陽電池:高効率ワイドギャップ黄銅鉱太陽光発電開発への挑戦【JST・京大機械翻訳】

CuGaSe2 Thin Film Solar Cells: Challenges for Developing Highly Efficient Wide-Gap Chalcopyrite Photovoltaics
著者 (1件):
資料名:
巻: 216  号: 15  ページ: e1800873  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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1.7eVのバンドギャップエネルギーをもつCuGaSe_2は,タンデム構造太陽電池における広ギャップ上部セルに対して有用な実用的材料であることが期待される。既に商業生産にある狭ギャップCu(In,Ga)Se_2デバイスの成功とは対照的に,CuGaSe_2デバイスの実用化を考慮する前に,更なる改良の余地がある。本レビューでは,これまでに報告されたCuGaSe_2デバイスの開発を,三元CuGaSe_2膜と太陽電池に焦点を合わせて,広ギャップ黄銅鉱光起電力の観点から調査した。CuGaSe_2とCuInSe_2またはCu(In,Ga)Se_2膜とデバイス特性の間で観察された差異とアルカリ効果との相関についても議論した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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