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J-GLOBAL ID：201902221883495725   整理番号：19A1402288

機械学習を用いたSiC溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討

著者 (13件)： 鳴海大翔 (名大 VBL) ,  林宏益 (名古屋大 工) ,  角岡洋介 (名古屋大 工) ,  角岡洋介 (産総研 GaN-OIL) ,  安藤圭理 (名古屋大 工) ,  朱燦 (名大 未来研) ,  沓掛健太朗 (理研 AIP) ,  原田俊太 (名古屋大 工) ,  原田俊太 (名大 未来研) ,  宇治原徹 (名大 VBL) ,  宇治原徹 (名古屋大 工) ,  宇治原徹 (産総研 GaN-OIL) ,  宇治原徹 (名大 未来研)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 164th  ページ： ROMBUNNO.S2.10  発行年： 2019年03月06日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】我々は溶液成長法による4H-SiCの高品質バルク単結晶育成技術の開発を行い、転位欠陥を構造変換させる技術を用いて高品質化を達成した。この高品質単結晶を大口径化するためには、高周波誘導加熱により黒鉛坩堝内で2000°C程度に溶融保持した...【本文一部表示】

シソーラス用語： *溶液成長 ,  種結晶 ,  単結晶 ,  結晶成長 ,  *炭化ケイ素 ,  熱 ,  流動 ,  機械学習 ,  数値解析 ,  *成長速度 ,  基礎研究 ,  *最適化 ,  予測モデル ,  目的関数 ,  坩堝 ,  プロセス最適化 ,  黒鉛るつぼ ,  熱流動 ,  *改変 ,  モデル

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 機械学習 ,  SiC ,  溶液成長 ,  熱流動 ,  予測 ,  最適化 ,  基礎