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J-GLOBAL ID：201902221997032018   整理番号：19A1473115

高品質[数式:原文を参照]エピタキシャル膜における強誘電性の構造依存性【JST・京大機械翻訳】

Structure dependence of ferroelectricity in high quality [Formula : see text] epitaxial films

著者 (15件)： Yang Nan (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yuan Ye (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Guan Zhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhong Ni (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chen Wen-Xia (Thermo Fisher Scientific, Shanghai 200241, China) ,  Qi Rui-Juan (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Zhang Yuan-Yuan (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Huang Rong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Tang Xiao-Dong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Xiang Ping-Hua (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Xiang Ping-Hua (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China) ,  Duan Chun-Gang (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Duan Chun-Gang (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China) ,  Chu Jun-Hao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Optoelectronics, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chu Jun-Hao (Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 3  号： 5  ページ： 054402  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着を用いて[数式:原文を参照]バッファ層を有する(001)配向[数式:原文を参照]基板上にエピタキシャル[数式:原文を参照](BMO)薄膜を作製した。BMOの強誘電と構造特性間の相関を詳細に調べた。高分解能透過型電子顕微鏡測定により,BMO膜の厚さの増加により擬立方晶から単斜晶構造への構造転移を観測した。これは中間層と小さな組成ゆらぎ,すなわちBi欠損に起因する。BMO膜の強誘電性は圧電応答力顕微鏡により特性化し,擬立方晶BMO薄膜は固有の強誘電性を示すが,強誘電性は室温で単斜晶BMO薄膜では存在しないか非常に弱いことを示した。密度汎関数理論計算の結果も実験結果を支持した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バッファ層 ,  *強誘電性 ,  立方晶系 ,  キャラクタリゼーション ,  パルスレーザ蒸着 ,  構造相転移 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  構造特性 ,  単斜晶系 ,  薄膜成長 ,  基板 ,  ビスマス
準シソーラス用語： 中間層 ,  HRTEM ,  *エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高品質 ,  数式 ,  参照 ,  エピタキシャル膜 ,  強誘電性 ,  構造依存性