文献

J-GLOBAL ID：201902222159254373   整理番号：19A2640468

高濃度ガスへの半導体ガスセンサの信号分解能の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the signal resolution of semiconductor gas sensors to high-concentration gases

著者 (12件)： Zhou Xinyuan (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhou Xinyuan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Yang Liping (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Bian Yuzhi (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Bian Yuzhi (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Wang Ying (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Han Ning (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Han Ning (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Han Ning (Center for Excellence in Regional Atmospheric Environment, Institute of Urban Environment, Chinese Academy of Sciences, Xiamen 361021, China) ,  Chen Yunfa (State Key Laboratory of Multiphase Complex Systems, Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Chen Yunfa (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, No. 19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Chen Yunfa (Center for Excellence in Regional Atmospheric Environment, Institute of Urban Environment, Chinese Academy of Sciences, Xiamen 361021, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 162  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度ガスの検出は,電圧信号が飽和するため,金属酸化物半導体(MOX)ガスセンサにより困難である。この問題を解決するために,n型増強モードFET(EMFET)とp型空乏化モードFET(DMFET)を組み合わせて,ズームp+n電界効果トランジスタ(FET)回路を設計した。この設計されたズームp+n FETは,約3.0V/10年の高い信号分解能を有するMOXガスセンサを,100~2000ppm(約100万)のアセトンガスに対して,FET(約0.8V/10年)を含まないMOXガスセンサの3倍の高い信号分解能で提供することができる。一方,このズーミング技術は,1%-20%LEL(低爆発限界)メタンのような高濃度の他のガスの検出にも適している。ズームp+n FETの原理は,ガス濃度の増加とともに,EMFETの抑制役割が最初に誘導され,低濃度ターゲットガスへの信号分解能の低下をもたらす。次に,その抑制効果は飽和し,DMFETは高濃度ターゲットガスにおいてON状態からオフ状態へスイッチし始め,ここで増幅効果,したがって増強された信号分解能をもたらす。この回路は高濃度ガス検出と多機能ガス検出器設計に有望である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *半導体 ,  *ガスセンサ ,  爆発限界 ,  ガス検出器 ,  金属酸化物 ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： 多機能 ,  オフ状態 ,  オン状態 ,  抑制効果 ,  低濃度 ,  ガス濃度 ,  金属酸化物半導体 ,  *高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属酸化物ガスセンサ ,  電界効果トランジスタ ,  高濃度 ,  信号分解能

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (3件)： 高濃度 ,  ガスセンサ ,  信号分解能