文献
J-GLOBAL ID:201902222292417801   整理番号:19A0181994

GaP/Siテンプレート上の15.3%効率GaAsP太陽電池【JST・京大機械翻訳】

15.3%-Efficient GaAsP Solar Cells on GaP/Si Templates
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: 1911-1918  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5040A  ISSN: 2380-8195  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
単一接合Si太陽電池はそれらの実用的な効率限界に近づくので,より費用対効果の高い光起電力を実現するために効率を上げるために新しい経路が必要である。多接合アーキテクチャにおいてSi上にIII-Vセルを集積することは,SiとIII-V技術のために既に置かれているインフラストラクチャを活用しながら,高効率を達成できる有望なアプローチである。本論文では,改良されたデバイス設計と高性能反射防止コーティングとの関連で,材料品質の最近の進歩により可能になった,GaP/Si上の15.3%の効率的な1.7eV GaAsPトップセルを記録した。さらに,1.7eV GaAsP光フィルタを用いて分離したSiボトムセルを示し,効率が6.3%の可視光を吸収し,効率が20%以上のモノリシックIII-I/Siタンデムの実現可能性を示した。スペクトル効率解析を通して,著者らの結果を以前に発表されたGaAsPおよびSiデバイスと比較し,最新の個々のサブセルに基づいて25.6%までのタンデムGaAsP/Si効率を投影した。モデリングの助けを借りて,高効率,モノリシック集積光起電力用の30%GaAsP/Siタンデムへの現実的な経路をさらに例示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る