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J-GLOBAL ID:201902222447727209   整理番号:19A0742903

イオン液体ゲートトランジスタ配置に基づくポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTTT-C16)における正ポーラロンとバイポーラロンのドーピングレベル依存移動度【JST・京大機械翻訳】

Doping-level dependent mobilities of positive polarons and bipolarons in poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C16) based on an ionic-liquid-gated transistor configuration
著者 (3件):
資料名:
巻: 68  ページ: 28-34  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Raman分光法と電気化学測定を用いて,イオン液体ゲートトランジスタ(ILGT)配置における非アニールおよびアニールしたPBTTT-C16におけるキャリア,ポーラロンおよび/またはバイポーラロンの電気的性質とタイプの間の関係を研究した。ILGTで発生したキャリアのタイプをRaman分光法で同定した。電気伝導度と移動度を,ドーピングレベルまたは注入電荷密度の関数として,電気化学的測定から得た。電気伝導率は正ポーラロンの形成により急速に増加した。バイポーラロン形成は,非アニールおよびアニールしたPBTTT-C16に対して,それぞれ7.3および3.4mol%/π電子で始まった。バイポーラロンは,非アニールおよびアニールしたPBTTT-C16の高伝導率領域における支配的キャリアである。非アニールPBTTT-C16における最高のバイポーラロン移動度は,11mol%ドーピング(電荷密度1.3×10~21cm~3)で0.92cm~2V~1s-1であったが,アニールしたPBTTT-C16での最高バイポーラロン移動度は,4.8と5.2mol%ドーピング(電荷密度5.7と6.2×10~20cm~3)で1.2cm~2V~1s-1であった。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
有機化合物の電気伝導  ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用 

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