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J-GLOBAL ID：201902222554497783   整理番号：19A1888318

Rh(110)表面上のバナジウムと酸化バナジウムの成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of Vanadium and Vanadium Oxide on a Rh(110) Surface

著者 (5件)： von Boehn Bernhard (Institut fuer Physikalische Chemie und Elektrochemie, Leibniz Universitaet Hannover, Germany) ,  Mentes Tevfik O. (Elettra Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, Italy) ,  Locatelli Andrea (Elettra Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, Italy) ,  Sala Alessandro (Elettra Sincrotrone Trieste S.C.p.A., Trieste, Italy) ,  Imbihl Ronald (Institut fuer Physikalische Chemie und Elektrochemie, Leibniz Universitaet Hannover, Germany)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 36  ページ： 19774-19785  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー電子回折(LEED),低エネルギー電子顕微鏡(LEEM),Auger電子分光法(AES)およびX線光電子分光法(XPS)を用いて,Rh(110)表面上のバナジウムおよび酸化バナジウムの薄層のエピタキシャル成長を研究した。V/VO_xの6単分子層まで,370と770Kの間で変化する温度で堆積した。V堆積では,n=2と4の(1×n)と(n×1)の被覆層が観察された。VO_xの3MLEの堆積に対して,(12×1)構造を安定構造として得た。V 2p_3/2のXPSは,酸化物と金属または強く還元された(V2+)V成分の同時存在を明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  被覆層 ,  安定構造 ,  薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  *バナジウム ,  酸化物 ,  単分子層 ,  低速電子回折 ,  X線光電子分光法 ,  Auger分光法
準シソーラス用語： 低速電子顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： Rh ,  バナジウム ,  酸化バナジウム ,  成長