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J-GLOBAL ID：201902222750491425   整理番号：19A1656379

第一原理による点欠陥を持つn-GaN(0001)表面の光電特性に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on photoelectric properties of n-GaN (0001) surface with point defects via first-principles

著者 (3件)： Ju Ying (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, People’s Republic of China) ,  Liu Lei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, People’s Republic of China) ,  Lu Feifei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, People’s Republic of China)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 51  号： 7  ページ： 1-14  発行年： 2019年 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN(0001)表面の電子的および光学的性質に及ぼすn型ドーピングおよび点欠陥の影響を明らかにするために,元のおよび欠陥のあるn-GaN(0001)表面モデルを確立した。これらの表面の形成エネルギー,仕事関数,原子構造,電子及び光学特性を第一原理計算により論じた。結果は,欠陥が表面位置に近い強い傾向を持ち,N格子間欠陥(N_i)とGa空格子点(V_Ga)が容易に形成されることを示した。V_Gaによる表面の仕事関数は最大になり,n型の伝導率は増加した。さらに,種々の欠陥を有する表面の吸収係数は,元のn型表面のそれより小さかった。適切な量のGa空格子点は電子放出の確率を増加させることができるが,光子の吸収には役に立たない。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *第一原理 ,  原子構造 ,  光子 ,  *窒化ガリウム ,  *ガリウム ,  吸収係数 ,  光学的性質 ,  仕事関数 ,  *点欠陥 ,  電子放出
準シソーラス用語： 伝導率 ,  第一原理計算 ,  形成エネルギー ,  n型ドーピング ,  光電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： n型 ,  GaN(0001)表面 ,  欠陥 ,  光学的性質 ,  第一原理

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理 ,  点欠陥 ,  GaN ,  光電特性 ,  研究