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J-GLOBAL ID：201902223025203732   整理番号：19A0515272

暗I-V測定による結晶シリコン太陽電池モジュールにおける電位誘起劣化のその場キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

In-Situ Characterization of Potential-Induced Degradation in Crystalline Silicon Photovoltaic Modules Through Dark I-V Measurements

著者 (8件)： Luo Wei (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Hacke Peter (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Singh Jai Prakash (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Chai Jing (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Wang Yan (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Ramakrishna Seeram (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Aberle Armin G. (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Khoo Yong Sheng (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 1  ページ： 104-109  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポテンシャル誘起劣化(PID)を受ける通常のp型結晶シリコン光起電力(PV)モジュールのその場暗I-V(DIV)特性化のための温度補正法を提案した。DIV導出モジュールパワー温度係数(γ_dark)はPIDの範囲の関数として変化することを観測した。γ_暗とDIV誘導モジュールパワー(P_dark(T_s))の間の関係を研究するために,in situと応力温度で測定された2つのパラメータを定義した。PID応力温度(ΔP_暗(T_s))でのDIV誘導モジュール温度係数(Δγ_暗)とDIV誘導モジュール電力劣化の変化。Δγ_暗とΔP_暗(T_s)の間に線形関係があることを決定した。この発見に基づいて,著者らは,in situでP_暗(T_s)をモニターすることによって,PIDの様々な段階でモジュールγ_暗を容易に決定することができる。次に,P_暗(T_s)を25°C(P_暗(25°C))に変換する数学モデルを開発し,標準試験条件(P_STC)で測定したモジュールパワーと相関させた。著者らの実験は,種々の程度のPIDに対して,温度補正法がP_STCを予測するために±3%の相対精度を提供することを実証した。さらに,温度補正なしでのP_STC推定と比較して,それは約70%まで二乗平均誤差(RMSE)を減少させた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度係数 ,  *キャラクタリゼーション ,  電力 ,  パラメータ ,  *電位 ,  数学モデル ,  線形性 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 温度補正 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶シリコン太陽電池 ,  モジュール ,  電位 ,  誘起 ,  キャラクタリゼーション