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J-GLOBAL ID:201902223032888374   整理番号:19A1005227

相変化材料におけるエージング:シミュレーションからの洞察【JST・京大機械翻訳】

Aging in Phase Change Materials: Getting Insight from Simulation
著者 (2件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: e1800590  発行年: 2019年 
JST資料番号: W1880A  ISSN: 1862-6254  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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エージングは,不揮発性メモリにおける作用成分としての相変化材料の出現を制限する効果の一つである。本論文は,半導体ガラスのエージングと付随する抵抗ドリフトの原因となる基礎となる微視的機構を記述することを可能にする最近のシミュレーション研究のレビューを提示する。他のシステムと比較して,相変化材料の脆弱な特性は,構成の空間と化学的規則化をサンプルするために,異なる方法の使用を妨げる。出現した描像は,配位欠陥の発展と基礎となるネットワークの両方が電子特性の進化の原因であることである。シミュレーションの利点は,それらが化学秩序化,原子の局所幾何学,および電子状態の性質の間の関係を決定することを可能にすることである。これらの相関から,「理想的」非晶質状態の構造とこの相における結合とより伝導性の結晶相の構造を得ることができる。微視的現象のこの理解は実験結果を解釈するために重要であるが,高性能で拡張可能な不揮発性メモリのための最良の候補の中で相変化材料を置くユニークな特性を保存しながら,時効の傾向が少ない最適化ガラスの設計への道を開く。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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表面の電子構造  ,  金属結晶の電子構造  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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