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J-GLOBAL ID:201902223196650641   整理番号:19A0036446

高周波プレーナSchottkyダイオードの集中等価回路パラメータ抽出法【JST・京大機械翻訳】

A Lumped Equivalent Circuit Parameter Extraction Method of High Frequency Planar Schottky Diodes
著者 (6件):
資料名:
巻: 2018  号: ICMMT  ページ: 1-3  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高周波平面Schottkyダイオードの集中等価回路モデルを示した。このモデルは,高周波平面SchottkyダイオードのSchottky接合と幾何学依存電磁結合を特性化する固有の部分と寄生部分を含む。等価回路とゼロベース接合容量±b(C_j0)における寄生パラメータの値を得るために,パラメータ抽出法を提案した。C_i±b0の値は,実際の値と一致するように修正される。本方法は,正確にC_j0の値を抽出するために良い方法を提供して,それはTMMCの設計を導くために適用することができた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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