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J-GLOBAL ID：201902223219041675   整理番号：19A0130622

シリコン太陽デバイスのためのITOベース選択接触【JST・京大機械翻訳】

ITO-Based Selective Contacts for Silicon Solar Devices

著者 (6件)： Fernandez S. (Renewable Energy Department, CIEMAT, Madrid, 28040, Spain) ,  Brana A. F. (Grupo ElySe. Dpto. Fi ́sica Aplicada, UAM, Madrid, 28049, Spain) ,  Grandal J. (Dpto. Electro ́nica Fi ́sica Ing. Ele ́ctrica y Fi ́sica Aplicada, UPM, Madrid, 28040, Spain) ,  Gonzalez J. P. (Renewable Energy Department CIEMAT, Madrid, 28040, Spain) ,  Garcia F. (Chemistry Division CIEMAT, Madrid, 28040, Spain) ,  Gomez-Mancebo M. B. (Chemistry Division CIEMAT, Madrid, 28040, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CDE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接電流マグネトロン(DC)スパッタリングによりp型結晶シリコン基板上に酸化インジウムスズ(ITO)薄膜を室温で堆積させた。ITO厚さは45から140nmまで変化させ,印加DC電力は15から100Wまで変化させた。選択層接触としてITOを組み込んだ太陽素子を金属電極としてTi/Agを用いて作製した。本研究の主目的は,短絡電流密度と開回路電圧のような主な太陽パラメータに及ぼすITO厚さとスパッタリング条件の影響を評価することである。有望な結果は,ITOがシリコン技術で使用される水素化非晶質シリコンのような従来のエミッタを代替することができることを示している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スパッタリング ,  薄膜 ,  *太陽 ,  マグネトロン ,  酸化インジウムスズ ,  アモルファスシリコン ,  銀 ,  水素化 ,  チタン ,  電流 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  短絡電流密度 ,  金属電極 ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  太陽 ,  ITO