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J-GLOBAL ID:201902223305943420   整理番号:19A1889192

H_2とO_2生成のためのNi,Mo箔およびC繊維上のSn:In_2O_3とSn:In_2O_3/NiS_2コア-シェルナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

Sn:In2O3 and Sn:In2O3/NiS2 Core-Shell Nanowires on Ni, Mo Foils and C Fibers for H2 and O2 Generation
著者 (5件):
資料名:
巻: 121  号: 50  ページ: 27839-27848  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Sn:In_2O_3ナノワイヤを,Si,Ni,Mo,およびC繊維上の蒸気液体固体機構によって成長させた。これらを用いてSn:2O_3/NiS_2コア-シェルナノワイヤをSn:In_2O_3ナノワイヤ上に10nmのNiを析出させ,続いて100~200°Cの間でH_2S下で成長後処理した。Sn:In_2O_3/NiS_2ナノワイヤは約100nmの直径と~100μmまでの長さを有し,立方晶結晶構造を有する3nm NiS_2結晶性量子ドットで囲まれた立方晶ビクスバイトSn:In_2O_3から成る。300~500°Cのより高い温度は,Sn:In_2O_3中のNiS_2量子ドットと立方晶In_3S_4分岐の形成をもたらす。n型Sn:In_2O_3NWと接触したp型NiS_2は,効果的質量近似における自己無撞着Poisson-Schroedinger計算により示されるように,電子がn型Sn:In_2O_3コアとp型NiS_2中の正孔に閉じ込められたp-nヘテロ接合の形成により整流電流-電圧(IV)特性を与えることを見出した。O_2とH_2のガス発生をSn:In_2O_3/NiS_2ナノワイヤをアノードとし,Ptを1M KOH(aq)と0.5MH_2SO_4(aq)を含む2コンパートメント光電気化学セルのカソードとして1太陽光下で測定した。Sn:In_2O_3/NiS_2ナノワイヤからの0.2Vと25°Cの過電圧で,O_2の7.8μL/minとH_2の15.0μL/minを得た。これらは,p-n接合の存在に起因する,単純なSn:In_2O_3ナノワイヤから得られたものより約35%大きい。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩基,金属酸化物 

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