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J-GLOBAL ID：201902223432565858   整理番号：19A0016708

懸濁ゲルマニウム膜における歪集中のための局所化細線化と精密厚さ測定のための光学的方法【JST・京大機械翻訳】

Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement

著者 (13件)： Vaccaro P. O. (ICREA, Passeig Lluis Companys 23, E-08010 Barcelona, Spain) ,  Alonso M. I. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Esfera UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Garriga M. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Esfera UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Gutierrez J. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Esfera UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Pero D. (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Esfera UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Wagner M. R. (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), Campus de la UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Reparaz J. S. (Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), Campus de la UAB, E-08193 Bellaterra, Spain) ,  Sotomayor Torres C. M. (ICREA, Passeig Lluis Companys 23, E-08010 Barcelona, Spain) ,  Vidal X. (Department of Physics and Astronomy, Macquarie University, 2109 NSW, Australia) ,  Carter E. A. (School of Chemistry and Sydney Analytical, University Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Lay P. A. (School of Chemistry and Sydney Analytical, University Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Yoshimoto M. (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japan) ,  Goni A. R. (ICREA, Passeig Lluis Companys 23, E-08010 Barcelona, Spain)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 11  ページ： 115131-115131-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーにより(001)Si基板上にGe層を堆積し,それらを用いて高い一軸引張歪をもつ懸濁膜を作製した。歪濃度を増加させ,低温で堆積させたGe/Siヘテロ界面近傍のGeバッファ層を除去するためのCMOS互換性作製戦略を実証した。これは2ステップパターン形成と選択的エッチングプロセスによって達成される。最初に,ブリッジとネック形状をGe膜にパターン化し,次にネックを上部と底部の両側から薄くした。厚さ76nmのGe膜におけるRaman散乱により,3%以上の一軸引張歪値を測定した。基板から遠く離れたマイクロメータサイズの膜に関する挑戦的な厚さ測定のために,非同期光学サンプリング技術を用いて,ポンプ-プローブ反射率測定に基づくキャラクタリゼーション法を適用した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  キャラクタリゼーション ,  互換性 ,  バッファ層 ,  プローブ ,  MBE成長 ,  *懸濁液 ,  一軸 ,  低温 ,  パターン形成 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： ヘテロ界面 ,  引張歪 ,  *局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 懸濁 ,  ゲルマニウム ,  歪集中 ,  局所化 ,  細線化 ,  精密 ,  厚さ測定 ,  光学