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J-GLOBAL ID:201902223506381264   整理番号:19A1416244

液体シリコン中の炭素拡散と偏析の原子論的シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Atomistic simulations of carbon diffusion and segregation in liquid silicon
著者 (4件):
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巻: 122  号: 22  ページ: 225705-225705-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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液体シリコン中の炭素原子の拡散率とシリコン融液と結晶相の間の平衡分布は重要であるが,シリコン凝固過程のグローバルモデルに対する正確には知られていないパラメータではない。本研究では,シリコン溶融温度での炭素の拡散と偏析係数を計算するために,複数の経験的ポテンシャルモデルによって駆動される一連の分子シミュレーションツールを適用した。一般的に,いくつかの例外が同定され議論されているが,潜在的モデル予測を通して良好な一貫性を見出した。また,偏析係数の利用可能な実験測定の範囲と良い一致を見出した。しかし,著者らが計算した炭素拡散係数は,不純物分布の連続体モデルで典型的に仮定されている値よりも著しく低い。全体として,現在利用可能な経験的ポテンシャルモデルは,特に多重モデルアプローチが行われる場合,シリコン凝固における炭素(およびおそらく他の不純物)輸送を研究するために,少なくとも半定量的に有用であることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体の格子欠陥 
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