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J-GLOBAL ID：201902223512022425   整理番号：19A1964688

アントリル基を有するネットワークシリコンのパルス光照射による黒鉛の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of graphite by pulsed light irradiation of network silicon bearing anthryl groups

著者 (3件)： Tachibana Hiroaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Mizuno Toya (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Azumi Reiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 5, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8565, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 686  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強いパルス光(IPL)照射により,アントリル基,ポリ(9-アントリルシリレン)(PAS)を有するスピンコートネットワークシリコンの構造変化を報告した。構造変化は数百マイクロ秒で達成され,50Ω/sqまでのシート抵抗をもつグラファイト膜の形成をもたらした。照射エネルギーと膜厚の関数としてグラファイト膜の形成を調整するために,IPLの条件を最適化した。PAS膜の形態及び電気的性質に及ぼすIPL条件の影響を,原子間力顕微鏡及びシート抵抗測定と同様に,UV-可視,X線光電子(XPS)及びRaman分光法により調べた。ネットワークシリコンの除去をXPSの変化で証明した。Raman分光分析とシート抵抗の間の相関はグラファイト膜の形成を示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  Raman分光法 ,  *グラファイト ,  スピンコーティング ,  *ネットワーク ,  *ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線 ,  膜厚 ,  シート抵抗 ,  光電子 ,  Raman分光分析 ,  構造変化 ,  *パルス光 ,  改変
準シソーラス用語： マイクロ秒 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： パルス光照射 ,  ネットワークシリコン ,  アントリル基 ,  グラファイト膜

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  パルス ,  光照射 ,  黒鉛 ,  作製