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J-GLOBAL ID:201902223587858106   整理番号:19A1912469

近単一量子収量無機ハロゲン化物ペロブスカイトQDsと高性能QLEDのための表面配位子工学【JST・京大機械翻訳】

Surface Ligand Engineering for Near-Unity Quantum Yield Inorganic Halide Perovskite QDs and High-Performance QLEDs
著者 (6件):
資料名:
巻: 30  号: 17  ページ: 6099-6107  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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発光ダイオード(QLED)に対する全無機CsPbX_3(X=BrまたはI)量子ドット(QD)の大きな可能性にもかかわらず,それらの発光特性はQD表面上の長い絶縁性配位子によって妨げられている。この問題を解決するために,CsPbX_3QDを合成するために,短い共役分子配位子フェネチルアミン(PEA)を配位子として用いて,効率的な表面配位子工学法を実行し,次に,CsPbX_3QD膜をフェネチルアンモニウム臭化物(PEABr)またはフェネチルアンモニウムヨージド(PEAI)で処理した。結果は,短い共役分子配位子がCsPbX_3QDの表面に長い絶縁性配位子にうまく吸着され,キャリア注入と輸送の顕著な増強をもたらすことを示した。合成配位子としてフェネチルアミン(PEA)を取り込むと,CsPbBr_3とCsPbI_3QDの両方でトラップ状態がより少なくなり,それぞれ93%と95%のほぼ1つの光ルミネセンス量子収率(PLQYs)を示した。CsPbBr_3とCsPbI_3QLEDの輝度は,長い絶縁性配位子が共役分子配位子でさらに置換されたとき,それぞれ21470と1444cd/m-2に改善された。特に,CsPbI_3QLEDの外部量子効率(EQE)は14.08%に達し,それは赤色ペロブスカイトLEDの最高効率の間にあった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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無機化合物一般及び元素  ,  コロイド化学一般 

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