IV族中赤外デバイスと回路【JST・京大機械翻訳】

Mashanovich G. Z.; Soler Penades J.; Cao W.; Qu Z.; Osman A.; Wu Y.; Khokhar A. Z.; Littlejohns C. J.; Stankovic S.; Reynolds S.; Mittal V.; Murugan G. S.; Wilkinson J. S.; Qi Y.; Gardes F. Y.; Thomson D. J.; Nedeljkovic M.

文献

J-GLOBAL ID：201902223614198580 整理番号：19A0793592

IV族中赤外デバイスと回路【JST・京大機械翻訳】

Group IV mid-infrared devices and circuits

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資料名：
巻： 10535 ページ： 1053512-6 発行年： 2018年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,中赤外波長領域のためのシリコンとゲルマニウムに基づく材料プラットフォームを提示し,これらの材料で実現されたいくつかの能動的で受動的なデバイスを報告する。特に,7μmより長い波長の素子と回路に焦点を合わせた。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路 , 固体デバイス製造技術一般 , 光集積回路,集積光学 , アンテナ

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