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J-GLOBAL ID：201902223989433885   整理番号：19A1647842

高性能光検出器のための斜方晶SnSe/六方晶In_2Se_3に基づく垂直ヘテロ構造の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of vertical heterostructures based on orthorhombic SnSe/hexagonal In₂Se₃ for high-performance photodetectors

著者 (4件)： Li Xuan-Ze (Key Laboratory of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Yi-Fan ,  Xia Jing ,  Meng Xiang-Min
資料名： Nanoscale Advances  (Nanoscale Advances)
巻： 1  号： 7  ページ： 2606-2611  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5051A  ISSN： 2516-0230  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)層状材料に基づく垂直ヘテロ構造は,電子構造工学と新しいデバイス応用のための理想的なプラットフォームである。しかし,現在のヘテロ構造の大部分は,類似の格子を有する層状結晶に焦点を合わせている。さらに,異なる構造を持つ2D材料によって作られたヘテロ構造はほとんど研究されていない。本研究では,二段階物理蒸着(PVD)法を用いて,斜方晶SnSe/六方晶In_2Se_3垂直ヘテロ構造を組み合わせることにより,垂直ヘテロ構造を作製することに成功した。構造特性化により,In_2Se_3膜の上部に垂直に積層したSnSeのヘテロ構造が形成され,垂直ヘテロ構造は高品質を有し,In_2Se_3露出表面は(0001)面であり,SnSeは[100]方向に沿って成長することを明らかにした。Ramanマップにより,成長したSnSe/In_2Se_3ヘテロ構造の正確な空間変調を確認した。さらに,垂直ヘテロ構造に基づく高性能光検出器を基板上に直接作製し,広帯域応答,可逆性および安定性を示した。暗電流と比較して,素子は,405nmのレーザ照射と1.5mWのパワーの下で,約186nAの光電流の一次倍率を実証した。さらに,素子は,入射レーザ出力の変化により,光電流強度の明らかな増加を示し,ここで,I_ph∝P~0.7であった。また,素子は350mA W-1までの高い応答性と約139msの高速応答時間を示した。本研究では,異なる構造を持つ2D層状材料に基づく垂直ヘテロ構造の合成と応用のための地平を広げ,さらに既存材料の到達を超えて励起技術を開発した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 物理蒸着 ,  二次元 ,  光電流 ,  広帯域 ,  *斜方晶系 ,  *六方晶系 ,  結晶 ,  暗電流 ,  レーザ照射 ,  積層材料 ,  レーザ出力 ,  励起 ,  可逆性 ,  *光検出器
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  光検出器 ,  斜方晶 ,  六方晶 ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  成長