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J-GLOBAL ID：201902224143854047   整理番号：19A1050078

イオン注入とMSレンジフラッシュランプアニーリングにより作製したGaAs中の浅い接合の形成と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Formation and Characterization of Shallow Junctions in GaAs Made by Ion Implantation and ms-Range Flash Lamp Annealing

著者 (11件)： Duan Juanmei (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Duan Juanmei (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, P. R. China) ,  Duan Juanmei (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Wang Mao (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Wang Mao (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Vines Lasse (Department of Physics/Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Bottger Roman (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Helm Manfred (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Zeng Yu-Jia (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, P. R. China) ,  Zhou Shengqiang (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Prucnal Slawomir (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 8  ページ： e1800618  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエレクトロニクスにおける攻撃的スケーリングの要求により,相補的金属-酸化物-半導体(CMOS)技術により,III-V化合物半導体のような高移動度半導体の集積により,更なる進歩が実現できる。本研究では,SとZnのイオン注入を用いたGaAsにおける浅いn-pとp-n接合の形成とそれに続くミリ秒のフラッシュランプアニーリング(FLA)を示した。二次イオン質量分析(SIMS)により得られた注入元素の分布は,FLAプロセスがドーパントの拡散を効果的に抑制できることを示した。同時に,ms範囲アニーリングは,注入層を再結晶化し,ドーパントを活性化するのに十分である。p-nとn-p接合の形成を電流-電圧特性により確認した。順方向電流に対する逆の比はn-GaAs:Znの場合に1.7×10~7に達した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *接合 ,  酸化物 ,  *焼なまし ,  亜鉛 ,  半導体 ,  電流 ,  *イオン注入 ,  電流電圧特性 ,  PN接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  再結晶 ,  ドーパント ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  *浅い接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フラッシュランプのアニーリング ,  GaAs ,  イオン注入 ,  浅い接合

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  作製 ,  GaAs ,  浅い接合 ,  特性評価