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J-GLOBAL ID：201902224189180644   整理番号：19A1778972

走査型内部光電子顕微鏡によるα-Ga_2O_3Schottky接触の界面反応のマッピング【JST・京大機械翻訳】

Mapping the interfacial reaction of α-Ga₂O₃ Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy

著者 (4件)： Shiojima Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan) ,  Kambara Hitoshi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan) ,  Matsuda Tokiyoshi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan) ,  Shinohe Takashi (FLOSFIA Inc., Kyodai-Katsura Venture Plaza, Kyoto 615-8245, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 685  ページ： 17-25  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,電気的特性をマップできる走査型内部光電子放出顕微鏡(SIPM)を用いて,3種類のα-Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード(SBD)の熱安定性を特性化するために適用した。蒸着条件下で良好な整流特性が得られた。全ての試料に対してSIPM結果において均一な光電流分布も得られた。400°Cでのアニーリングの後,熱分解症状は順方向と逆方向の電流の両方が著しく増加したので観察された。Cu/Ti SBDの光電流は接触により均一に増加した。Tiは容易に酸素と反応できる。したがって,均一な界面反応が進行した。Au/Ti/Pt SBDに対して,光電流は接触周辺で増加した。低い障壁高さをもつPtGaを形成する局所界面反応が起こった。Cu/Ti/Fe SBDに対して,小さな光電流による劣化は,線形状の端部から拡張された。Feと酸素の間の顕著な反応は界面でのギャップ形成を引き起こした。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  チタン ,  電気的性質 ,  焼なまし ,  キャラクタリゼーション ,  鉄 ,  整流 ,  電流 ,  熱安定性 ,  光電流 ,  蒸着 ,  *走査 ,  *界面
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： α-ガリウム酸化物 ,  Schottky障壁ダイオード ,  走査型内部光電子顕微鏡法 ,  熱劣化 ,  界面反応 ,  二次元特性化

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 走査型 ,  光電子顕微鏡 ,  界面反応 ,  マッピング