文献

J-GLOBAL ID：201902224242520077   整理番号：19A1389466

トポロジカル絶縁体量子井戸共鳴トンネルトランジスタのI-V特性の比較とその従来の対応 TCADシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Comparison of the I-V characteristics of a topological insulator quantum well resonant tunneling transistor and its conventional counterpart: A TCAD simulation study

著者 (3件)： Dideban Daryoosh (Institute of Nanoscience and Nanotechnology, University of Kashan, Kashan, Iran) ,  Dideban Daryoosh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran) ,  Karbalaei Mohammad (Institute of Nanoscience and Nanotechnology, University of Kashan, Kashan, Iran)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 128  ページ： 374-377  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二つの障壁と井戸に基づく量子井戸共鳴トンネリング(QWRT)トランジスタの構造を調べ,シミュレーションした。障壁はより高いバンドギャップを持つ半導体で形成され,障壁を良く分離することは非常に小さいバンドギャップをもつ半金属様材料,すなわちゼロに近い。デバイスを酸化物上に置き,SOI技術の利点を利用し,例えば,漏れを改善し,環境効果に対するデバイスの免疫を改善した。井戸の厚さが数ナノメートルのとき,量子井戸領域に電子束縛状態が現れた。上部ゲートの電圧と仕事関数を調整することにより,束縛状態はポテンシャル井戸で移動し,キャリアは共鳴トンネリング現象を通して井戸を通して移動した。シミュレーションにより,出力特性のステップ状挙動と提案した素子の伝達特性の振動量子スイッチングを示した。素子特性に及ぼす井戸の厚さとゲート電圧の影響も調べ,トポロジー絶縁体に基づくQWRTトランジスタの理論解析と最適な場合を比較した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *トランジスタ ,  半金属 ,  共鳴トンネル効果 ,  束縛状態 ,  電圧 ,  酸化物 ,  仕事関数 ,  スイッチング ,  バンドギャップ ,  半導体
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  デバイス特性 ,  伝達特性 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二重障壁 ,  量子井戸 ,  共鳴トンネルトランジスタ ,  トポロジカル絶縁体

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： トポロジカル絶縁体 ,  量子井戸 ,  共鳴トンネルトランジスタ ,  I-V特性 ,  TCAD ,  シミュレーション ,  研究