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J-GLOBAL ID：201902224270670077   整理番号：19A1792792

不揮発性メモリ応用のための酸化サマリウム固体電解質薄膜のバイポーラ抵抗スイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

Bipolar resistive switching characteristics of samarium oxide solid electrolyte thin films for non-volatile memory applications

著者 (5件)： Ji Mei (Electronics and Communication Engineering Department, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, P. R. China) ,  Wu Yangjiang (Electronics and Communication Engineering Department, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, P. R. China) ,  Zhang Zhengzhong (Electronics and Communication Engineering Department, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, P. R. China) ,  Wang Ya (Electronics and Communication Engineering Department, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, P. R. China) ,  Liu Hao (Electronics and Communication Engineering Department, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, P. R. China)
資料名： Functional Materials Letters  (Functional Materials Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： 1950023  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2401A  ISSN： 1793-6047  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Sm_2O_3薄膜が電気化学的金属化メモリ(ECM)デバイスの固体電解質層として作用するAg/Sm_2O_3/Pt構造におけるバイポーラ抵抗スイッチング挙動を報告する。メモリ素子は,室温で4桁以上の抵抗比(低抵抗状態に対する高抵抗状態)と10~4[数式:原文を参照]s以上の安定な保持をもつ1000サイクル以上の再現可能で安定なバイポーラ抵抗スイッチングを示した。さらに,高収率と多レベル貯蔵可能性の利点は,次世代不揮発性メモリ応用において有望なデバイスを作る。Copyright 2019 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *酸化サマリウム ,  *記憶装置 ,  *固体電解質 ,  電気化学 ,  *不揮発性メモリ ,  メタライゼーション ,  *薄膜
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  *スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  酸化サマリウム ,  固体電解質 ,  記憶

分類 (5件)： 非水溶液  (CB05040G) ,  発光素子  (NC03082G) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  酸化サマリウム ,  固体電解質 ,  薄膜 ,  バイポーラ ,  スイッチング特性