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J-GLOBAL ID：201902224332329186   整理番号：19A1414896

層状スズ二カルコゲン化物の構造変態における欠陥のルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Luminescence of defects in the structural transformation of layered tin dichalcogenides

著者 (5件)： Sutter P. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Komsa H.-P. (Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aalto, Finland) ,  Krasheninnikov A. V. (Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aalto, Finland) ,  Huang Y. (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Sutter E. (Department of Mechanical and Materials Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 26  ページ： 262102-262102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状スズ硫化物半導体は基本的な興味があり,エネルギー変換応用に魅力的である。Sn硫化物は,種々のSn:S比(SnS_2,Sn_2S_3,およびSnS)を有するいくつかの安定なバルク相で結晶化し,それは硫黄空格子点(V_S)の導入によってより低い硫黄濃度で相に変換することができた。この複雑な挙動が光電子特性にどのように影響するかはほとんど知られていないが,層状材料のこのファミリーにおける光-物質相互作用を理解するために重要である。ここでは,V_Sを誘起し,電子ビーム照射により数層SnS_2とSnSの間の変換を駆動する能力を用い,これらの材料のルミネセンスにおける欠陥の役割を調べるために,in situ陰極線ルミネセンス分光法とab initio計算を組み合わせた。エンドポイント構造の特徴的バンド端発光に加えて,著者らの結果はSnS_2に対するSnS_2を伴う新しいルミネセンス特徴を示した。計算との比較は,硫黄空格子点を有するSnS_2における最も顕著な発光が欠陥準位からのルミネセンスによるものではなく,SnS_2における中性V_Sに結合した励起子の再結合を含むことを示した。これらの知見は,Snカルコゲナイド半導体の固有および欠陥関連オプトエレクトロニック特性への洞察を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 励起子 ,  再結合 ,  エネルギー変換 ,  空格子点 ,  陰極線ルミネセンス ,  電子照射 ,  結晶化 ,  積層材料 ,  *スズ ,  欠陥準位 ,  硫化物 ,  半導体 ,  *ルミネセンス ,  硫黄
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 層状 ,  スズ ,  カルコゲン化物 ,  構造変態 ,  欠陥 ,  ルミネセンス