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J-GLOBAL ID：201902224358454591   整理番号：19A0969401

Ta_3N_5-Cu_2O n-pアレイヘテロ接合の配向成長による増強された電荷分離【JST・京大機械翻訳】

Enhanced charge separation by oriented growth of Ta₃N₅-Cu₂O n-p array heterojunction

著者 (4件)： Wang Hongxu (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Shi Zhan (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Yan Shicheng (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zou Zhigang (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 13  ページ： 132105-132105-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化タンタル(Ta_3N_5)は,効率的な太陽エネルギー変換のための最も有望な光応答性半導体材料の一つであるが,その高速キャリア再結合は,厳しく研究進展を妨げている。ヘテロ接合構造の作製は,電荷分離効率を促進し,太陽変換効率を高めるための効果的な戦略である。ここでは,a軸(光電子有効質量)とp型Cu_2Oナノ粒子に沿って成長したn型Ta_3N_5ナノロッドアレイ(NRA)から成るp-nヘテロ接合光アノードを設計した。このNRAヘテロ接合は正孔拡散距離を短くし,a軸に沿って電子を効果的に移動させ,空間電荷領域を拡大させる。ヘテロ接合は,Ta_3N_5 NRAの電荷分離効率を著しく改善し,Ta_3N_5-Cu_2Oは,1.6V対通常水素電極(V_NHE,pH=0)で9.19mAcm-2の光電流密度,0.326V_NHEの開始電位,380nmで60%の電流効率への最大入射光子を示した。著者らの結果は,短いキャリア拡散距離と高速キャリア再結合を克服するためのナノ構造ヘテロ接合の潜在的結晶配向成長戦略を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  拡散距離 ,  キャリア再結合 ,  *電荷分離 ,  ナノ構造 ,  ナノ粒子 ,  太陽 ,  *ヘテロ接合 ,  結晶方位 ,  高速度 ,  電位 ,  正孔
準シソーラス用語： 光アノード ,  ナノロッドアレイ ,  変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： アレイ ,  ヘテロ接合 ,  配向 ,  成長 ,  増強 ,  電荷分離