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J-GLOBAL ID：201902224418493952   整理番号：19A2114695

レーザ分子ビームエピタクシーによる(201)β-Ga_2O_3上の縮退ホモエピタキシャルSiドープGa_2O_3膜における移動度に及ぼす帯電転位の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Charged Dislocation on Mobility in Degenerate Homoepitaxial Si-Doped Ga₂O₃ Films on $(¥overline{2}01)¥ ¥beta$-Ga₂O₃ by Laser Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： Chen Xuanhu (Nanjing University, China) ,  Ye Jiandong (Nanjing University, China) ,  Gu Shulin (Nanjing University, China) ,  Zhang Rong (Nanjing University, China) ,  Zheng Youdou (Nanjing University, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiドープGa_2O_3ホモエピ層を,半絶縁性(201)β-Ga_2O_3上のレーザ分子線エピタクシーによって成長させた。移動度は42.8cm2Vs,キャリア濃度は2.28×1019cm-3で,平均伝導率は154S cm-1であった。縮退β-Ga_2O_3エピ層における電気的性質に及ぼす荷電転位の影響を扱うための定式化を示した。この理論は荷電不純物と転位による散乱を含み,それは約10~18cm-3のしきい電子濃度以下の移動度崩壊と縮退β-Ga2O3エピ層における増強移動度を説明できる。ホモエピタキシャル層の転位密度は10~11~10~12cm-2で,透過型電子顕微鏡で測定した。アクセプタ様電子トラップとして作用するダングリングボンドを持つ転位は,自由キャリア濃度を減少させ,エピ層の電気輸送特性に影響を及ぼす。温度依存Hall測定により,ドーパントSiは無視できるイオン化エネルギーをもち,高キャリア濃度のエピ層の移動度を高めるのに役立つことを示した。定量分析によるモデルは,バルク結晶で観察された値に類似した電子移動度を有する高品質β-Ga_2O_3ドーピングを実現する指針を与える可能性を有する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  ダングリングボンド ,  *ケイ素 ,  *縮退 ,  キャリア密度 ,  *帯電 ,  電荷 ,  温度依存性 ,  アクセプタ ,  透過型電子顕微鏡 ,  *HOMO ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  *レーザ
準シソーラス用語： エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： レーザ ,  分子ビームエピタクシー ,  縮退 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  Si ,  ドープ ,  移動度 ,  帯電 ,  転位