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J-GLOBAL ID：201902224485984635   整理番号：19A2111950

β-Ga_2O_3中の注入Siの拡散に対するアニール雰囲気の役割【JST・京大機械翻訳】

The role of annealing ambient on diffusion of implanted Si in β-Ga₂O₃

著者 (7件)： Sharma Ribhu (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Law Mark E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Fares Chaker (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Tadjer Marko (U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave SW, Washington, DC 20375, USA) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Kuramata A. (Tamura Corp. and Novel Crystal Technology, Sayama-city, Saitama 350-1328, Japan) ,  Pearton S. J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 8  ページ： 085111-085111-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も一般的なn型ドーパントSiを2x10~13~2x10~15cm~2の全線量でバルク(-201)β-Ga_2O_3に注入し,O_2またはN_2雰囲気中で1100°Cで10~120秒アニールした。二次イオン質量分析プロファイリングは,Si拡散率に及ぼすアニーリング雰囲気の顕著な影響を示した。O_2アニーリングの場合,全線量範囲にわたってSiの広範な再分布があったが,鋭い対照では,N_2アニーリングの使用はSi拡散を抑制した。結果は欠陥支援プロセスと一致した。O_2対N_2アニーリング雰囲気の違いに対する重要な因子として移動空孔/欠陥濃度を仮定して,Siプロファイルへの優れた適合をFLOOPSシミュレータで得た。一つの可能性は,N_2アニールに対して,より多くのGa空格子点が形成され,格子間Siが低拡散率を持つ置換Gaサイト上に移動することを可能にすることである。N_2雰囲気もSiの表面への損失を抑制し,初期線量の>90%は,同じ条件下でのO_2アニールによる66~77%と比較して,120secに対して1100°Cでのアニーリング後に保持された。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再分布 ,  *ケイ素 ,  放射線量 ,  *ガリウム ,  *焼なまし ,  ドーパント ,  拡散係数 ,  シミュレータ
準シソーラス用語： プロファイリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 注入 ,  Si ,  拡散 ,  アニール ,  雰囲気 ,  役割