文献

J-GLOBAL ID：201902224555239389   整理番号：19A1887745

塩酸処理に基づく二セレン化タングステン(WSe_2)の広範囲で制御可能なドーピング【JST・京大機械翻訳】

Wide-Range Controllable Doping of Tungsten Diselenide (WSe₂) based on Hydrochloric Acid Treatment

著者 (4件)： Nam Hyo-Jik (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Kim Jinok (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Park Jin-Hong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Korea) ,  Park Jin-Hong (SKKU PAdvanced Institute of Nano Technology (SAINT), Korea)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 26  ページ： 14367-14372  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,電荷移動現象に基づく化学ドーピングが,その単純さと効率により遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)材料に対して活発に研究されている。しかし,これらの化学ドーピング技術は,大部分が高ドーピング濃度(縮退)領域で制御されており,その結果,TMDデバイスへの技術の使用を制限している。ここでは,塩酸(HCl)処理に基づくWSe_2の広い範囲で制御可能なp型ドーピングについて報告する。ドーピング濃度は,HCl溶液の濃度を調整することにより,1.67×10~11cm~-2と1.32×10~12cm-2の間で広く制御された。次に,WSe_2ベースのトランジスタと光検出器デバイスの性能が改善されることを確認した(閾値電圧の増加,電界効果移動度,オン電流,およびドーピング濃度による光応答性)。最後に,ポリ(メタクリル酸メチル)カプセル化(170時間後に<8%の性能パラメータの変化がある)を用いて空気中の水分からの保護を提供することにより空気中のHClドーピング効果の劣化を軽減した。この広く制御可能なpドーピング法は将来のTMDベース素子の最適化に使用できると期待される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水分 ,  トランジスタ ,  *塩酸 ,  電流 ,  最適化 ,  電荷移動 ,  *ドーピング ,  縮退
準シソーラス用語： ドーピング効果 ,  光応答 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧 ,  p型ドーピング ,  化学ドーピング ,  *セレン化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 塩酸 ,  セレン化タングステン ,  ドーピング