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J-GLOBAL ID：201902224556741306   整理番号：19A0189825

有限化検証による40nm TaO_xベースReRAMにおける耐久性とデータ保持の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Endurance and Data-retention in 40nm TaO_X-based ReRAM by Finalize Verify

著者 (4件)： Fukuyama Shouhei (Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan) ,  Matsuda Shinpei (Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan) ,  Yasuhara Ryutaro (Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd., 1 Kotari-yakemachi Nagaokakyo, Kyoto, 617-8520, japan) ,  Takeuchi Ken (Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： NVMTS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,40nmのTaO_Xベースの抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)の許容可能なデータ保持時間を拡張するために,Verify動作を利用するSet/Reset耐久サイクルを研究した。検証操作を適用することにより,低いSet/リセットサイクルにおいて劇的にデータ保持時間を強化することができた。しかし,Verify演算を適用したSet/Resetサイクルとして,ReRAMセルは劣化し,低抵抗状態(LRS)のビット誤り率(BER)は増加する。Verify-応力によるこの劣化を抑制するために,「微細化」を提案した。結果として,LRSのデータ保持時間は,高いSet/リセットサイクルでも強化された。さらに,誤り訂正符号(ECC)を用いることを仮定して,Verify操作におけるECC強度の影響と最終的な検証操作を調査した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誤り訂正符号 ,  精密化 ,  *耐久性 ,  演算 ,  忍容性
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  許容性 ,  *データリテンション ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 検証 ,  ReRAM ,  データ保持