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J-GLOBAL ID:201902224677689690   整理番号:19A0175950

高性能高分子太陽電池用のA_1-A_2型ワイドバンドギャップ重合体 エネルギー損失と形態【JST・京大機械翻訳】

A1-A2 Type Wide Bandgap Polymers for High-Performance Polymer Solar Cells: Energy Loss and Morphology
著者 (24件):
資料名:
巻:号:ページ: e1800291  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3682A  ISSN: 2367-198X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ドナー-アクセプタ(D-A)型共役材料上に電子吸引基を導入することは,高分子太陽電池(PSC)におけるより高い開回路電圧(V_oc)を達成するために,それらの最高被占分子軌道(HOMO)エネルギー準位を低下させるために一般的に使用される方法である。しかし,この方法は,標的単量体の調製に含まれる面倒な合成と低収率のために,かなり費用がかかる。ここでは,深いHOMO準位を有するアクセプタ_1-アクセプタ_2(A_1-A_2)型高分子を構築するために,2つの異なるアクセプタ単位を用いる新しい設計概念を提案した。2つのA_1-A_2型ワイドバンドギャップ(WBG)ポリマー,PB24-3TDCとPB68-3TDCを,PSCのために設計した。開発した重合体は,効率的な電子受容体ITIC-Thによる適切なエネルギー準位と相補的吸収を有していた。より重要なことに,アルキル側鎖をわずかに制御することにより,高分子の分子積層と光ルミネセンス(PL)発光エネルギー損失を著しく変えることができた。結果として,0.9から1.0Vまでの同調V_ocと9.4から17.0mAcm-2までの短絡電流(J_sc)を達成することができた。PB24-3TDC:ITIC-Thに基づくデバイスは,7.88%のPCEを有するPB68-3TDC:ITIC-Thベースのデバイスと比較して,10.3%のより高い電力変換効率(PCE)を示した。これらの結果は,A_1-A_2型高分子ドナーの設計概念が,高性能PSCを達成するための非フラーレン受容体との混合に対して大きな可能性を有することを示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 

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