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J-GLOBAL ID：201902224741467940   整理番号：19A1379611

リング-グラフェンカソードの構造的および電子的最適化とその電界放出特性【JST・京大機械翻訳】

Structural and electronic optimization of ring-graphene cathodes and their field emission properties

著者 (4件)： Shao Xiuyuan (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117583, Singapore) ,  Ang Wei Kean (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117583, Singapore) ,  Balamuniappan Pranesh (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117583, Singapore) ,  Khursheed Anjam (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117583, Singapore)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 22  ページ： 223101-223101-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温電界放出源は,高度にコヒーレントで明るい電子ビームを与えることができる。しかし,それらは,それらの広範な使用を妨げているいくつかのよく知られた実用的困難性を被っている。すなわち,非管理の厳しい超高真空要求,比較的大きな電流不安定性,および1~2時間の短い期間での急速な放出減衰が,規則的なフラッシュ(Joule加熱)を必要とする。本論文では,観察可能な壁崩壊なしに,ミクロンサイズの同心リンググラフェンカソード低温電界エミッタの微細加工と成功した放出試験を示した。陰極はナノメータサイズのリング端を持つように設計されているが,その半径は数ミクロンまたはそれ以上を測定することができ,高真空条件下で安定な電子放出を与える。リングカソード源のターンオン電界は,その場集束イオンビーム過程により,ニッケルナノ粒子の薄層を導入することにより劇的に低下できる。陽極-陰極距離とリングカソード半径に対する電界増強の依存性を系統的に研究した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超高真空 ,  抵抗加熱 ,  不安定性 ,  *最適化 ,  コヒーレンス ,  低温 ,  *カソード ,  アノード ,  高速度 ,  電流 ,  薄膜 ,  *電界放出 ,  *電場 ,  集束イオンビーム
準シソーラス用語： 電界エミッタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子 ,  最適化 ,  電界放出