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J-GLOBAL ID：201902224958020922   整理番号：19A1414373

トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3ナノワイヤにおける歪誘起Dirac状態シフト【JST・京大機械翻訳】

Strain-induced Dirac state shift in topological insulator Bi₂Se₃ nanowires

著者 (7件)： Schindler Clemens (Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22607 Hamburg, Germany) ,  Wiegand Christoph (Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, Helmholtzstrasse 20, 01069 Dresden, Germany) ,  Sichau Jonas (Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22607 Hamburg, Germany) ,  Tiemann Lars (Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22607 Hamburg, Germany) ,  Nielsch Kornelius (Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, Helmholtzstrasse 20, 01069 Dresden, Germany) ,  Zierold Robert (Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22607 Hamburg, Germany) ,  Blick Robert H. (Center for Hybrid Nanostructures (CHyN), University of Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22607 Hamburg, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 17  ページ： 171601-171601-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,単結晶Bi_2Se_3ナノワイヤ(NW)に外部歪を適用することにより,三次元トポロジー絶縁体(TI)のDirac表面状態を調整する可能性を実証した。NWは200nmの深いトレンチ上に置かれ,それは顕著な曲げをもたらし,ワイヤの底面における引張歪とその上部表面における圧縮歪をもたらす。低温磁気輸送測定を行うことにより,圧縮または引張歪(ε=±0.1%)下でのTI表面は緩和表面と比較してΔE=.-+.30meVの顕著なDiracシフトを経験することを示した。引張歪下の表面状態に対して,キャリア移動度の増加を示した。したがって,Dirac状態を外部的に調整する機会は,将来のTIデバイスにおける更なる改良をもたらす可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  *ナノワイヤ ,  緩和現象 ,  キャリア移動度 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  三次元 ,  *金属線 ,  単結晶
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  誘起 ,  シフト