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J-GLOBAL ID：201902225012839739   整理番号：19A1379590

Au/Ti/n-InAlAs(001)Schottky接触における障壁不均一性の性質について【JST・京大機械翻訳】

About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

著者 (6件)： Aksenov M. S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation) ,  Valisheva N. A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation) ,  Chistokhin I. B. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation) ,  Dmitriev D. V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation) ,  Kozhukhov A. S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation) ,  Zhuravlev K. S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SBRAS, 13 Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 22  ページ： 221602-221602-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡によるInAlAs表面形態の相関研究とAu/Ti/InAlAs(001)Schottky障壁の電流-電圧特性の温度(78~380K)依存性に関する研究を行った。InAlAs表面上の成長構造欠陥(ピット)密度の10~6から10~7cm-2への変化は,理想因子と障壁高さがそれぞれ1.1と0.69eVに近い熱電子放出理論で良く記述される200K以上の温度で電流-電圧依存性に影響しないことを示した。同時に,ピット密度の変化は200K以下の温度でSchottky障壁パラメータに顕著な影響を及ぼし,これはTungモデルにより説明でき,障壁高さが低く,全占有面積が異なる局所不均一性の存在を示唆した。また,Schottky接触形成後に有効な障壁高さ低下をもたらすピット欠陥周辺の領域をKelvinプローブ力顕微鏡により明らかにした。得られたデータに基づいて,InAlAs表面上の成長欠陥は,ピットがより低い障壁高さをもつSchottky接触における領域を引き起こすことを結論づけることができた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  電流電圧特性 ,  熱電子放出 ,  *不均一性 ,  電圧依存性 ,  温度依存性 ,  Schottky障壁 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *Schottky接触 ,  障壁高さ ,  理想因子 ,  構造欠陥 ,  表面形態 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  Ti ,  InAlAs ,  Schottky接触 ,  障壁 ,  不均一性 ,  性質