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J-GLOBAL ID:201902225313197327   整理番号:19A0658768

水素化ホウ素電解質によるマグネシウム金属堆積のためのOperando Xax/TEMからの界面洞察【JST・京大機械翻訳】

Interfacial Insight from Operando XAS/TEM for Magnesium Metal Deposition with Borohydride Electrolytes
著者 (12件):
資料名:
巻: 29  号: 17  ページ: 7183-7188  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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水素化ホウ素電解質からのマグネシウム金属の電気化学的析出のオペランド軟X線吸収分光法(SXAS)と透過型電子顕微鏡(TEM)を提示した。分析により,接触イオン対[Mg-(μ-H)_2BH_2]+としてのマグネシウム金属の堆積の活性成分を同定した。さらに,H_2-ガス形成を伴うホウ素クラスタの形成はMg金属の堆積を伴い,表面上の固体-電解質界面(SEI)の形成において重要な役割を果たす。将来の電池システムのための実行可能なアノードとしてMg金属を使用するために,界面成分と化学を理解することが重要である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
分類
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二次電池  ,  塩  ,  無機化合物一般及び元素  ,  コロイド化学一般 

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