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J-GLOBAL ID：201902225465582221   整理番号：19A1629346

炭素反跳原子の注入法を用いた銅上のグラフェンの制御合成【JST・京大機械翻訳】

Controlled Synthesis of Graphene on Copper Using the Method of Implantation of Carbon Recoil Atoms

著者 (1件)： Vyatkin A. F. (Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia)
資料名： Technical Physics Letters  (Technical Physics Letters)
巻： 45  号： 2  ページ： 170-172  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 1063-7850  CODEN： TPLEED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素反跳原子の低温注入による銅箔表面上のグラフェン合成法を考察した。特定の条件(アニーリング温度と持続時間,冷却速度)の下で炭素注入銅箔の表面上に単層グラフェン膜が形成されることを確立した。Copyright 2019 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 継続時間 ,  *反跳原子 ,  単一層 ,  銅箔 ,  *銅 ,  *炭素 ,  *グラフェン ,  冷却速度 ,  低温
準シソーラス用語： アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素 ,  反跳原子 ,  注入 ,  銅 ,  グラフェン