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J-GLOBAL ID:201902225519529507   整理番号:19A1420597

溶液処理還元酸化グラフェン電極を用いたナフタレンジカルボキシイミド(NDI)ベースn型高分子電界効果トランジスタにおける増強正孔輸送の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of enhanced hole transport in naphthalene dicarboxyimide (NDI)-based n-type polymer field-effect transistors using solution-processed reduced graphene oxide electrodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 481  ページ: 52-58  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,ナフタレンジカルボキサミド(NDI)に基づくn型半導体高分子およびAuまたは還元酸化グラフェン(rGO)を含む電極を用いた有機電界効果トランジスタ(OFET)を作製した。Au電極と比較して,rGO電極を有するトランジスタは,増強された正孔輸送特性を示した。NDIに基づく高分子と二つの電極の間の相互作用の解析は,異なる大きさの界面双極子の形成に対応する,高分子半導体への正孔の注入に対する好ましくない仕事関数にもかかわらず,rGO電極によるデバイス性能に関して満足な正孔輸送を明らかにした。rGO電極の電子軌道構造は,両極性を促進するために金電極の電子軌道構造によって誘起されたものと比較して,電極と半導体の間の界面における双極子モーメントによってより小さいシフトを誘発した。両ケースにおいて,界面における電荷注入のエネルギー障壁を紫外光電子分光法とKelvinプローブ力顕微鏡分析により決定した。さらに,改良された正孔輸送特性を有するn型NDI誘導体とrGO電極に基づく2つの同一のOFETsから成る相補的論理インバータを作製した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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その他の無機化合物の薄膜 

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