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J-GLOBAL ID：201902225551542360   整理番号：19A2184381

CdSe準二次元ナノプレートレットにおける負の熱膨張【JST・京大機械翻訳】

Negative thermal expansion in CdSe quasi-two-dimensional nanoplatelets

著者 (1件)： Lebedev Alexander I. (Physics Department, Moscow State University, 119991 Moscow, Leninskie gory, Russia)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 3  ページ： 035432  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つから五つの単分子層を含む閃亜鉛鉱構造を持つCdSeナノ小板の面内熱膨張係数(CTE)を準調和近似内の第一原理から計算した。得られた結果と閃亜鉛鉱型およびウルツ鉱型構造のバルクCdSeとの比較により,負のCTEの大きさおよびナノ小板におけるその観測の温度範囲の著しい増加が見出された。CdSeナノ小板における負の熱膨張への主な寄与は,バルクCdSeのTAフォノンの折畳みから生じる面外曲げZAモードと面内光学Eモードによって与えられる。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  折畳み ,  閃亜鉛鉱 ,  単分子層 ,  熱膨張係数 ,  第一原理
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  ウルツ鉱型構造 ,  準調和近似 ,  閃亜鉛鉱型構造 ,  *負の熱膨張 ,  *ナノプレートレット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 励起子  (BM02120E) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdSe ,  準二次元 ,  ナノプレートレット ,  負の熱膨張