文献
J-GLOBAL ID:201902225678289119   整理番号:19A1824749

電流源として外部インダクタを用いたMHzスイッチングのためのモノリシック集積ゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】

Monolithically Integrated Gate Driver for MHz Switching with an External Inductor as a Current Source
著者 (7件):
資料名:
巻: 2019  号: COMPEL  ページ: 1-6  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,パワーpゲートガリウム窒化物高Electron移動度トランジスタ(p-GaN HEMT)を用いて単一ダイ上にモノリシック集積したゲートドライバの設計を示した。パワーデバイスのスイッチング速度を改善するために,ゲートドライバとパワーHEMTをモノリシックに集積することにより,ゲート端子上の寄生部品を低減することが効果的である。提案した集積ゲートドライバは,集積電力HEMTのゲート端子を充電または放電する電流源として外部インダクタを用いて動作する。作製したチップは10MHzで動作した。測定結果は,GaN ICのV_DS転移が従来の方法より速く,GaN ICが100Vのオフ状態V_DS下でターンオンで46%,ターンオフで20%まで遷移時間を減少させ,5Aの状態I_Dを低下させることを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
信号理論  ,  図形・画像処理一般  ,  音声処理 

前のページに戻る