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J-GLOBAL ID：201902225696936377   整理番号：19A1792125

シリコンナノワイヤーにおける自由電荷キャリアの赤外診断【JST・京大機械翻訳】

Infrared Diagnostics of Free Charge Carriers in Silicon Nanowires

著者 (7件)： Efimova A. I. (Physics Department, M. V. Lomonosov Moscow State University, Leninskie Gory 1, Moscow 119991, Russia) ,  Lipkova E. A. (Physics Department, M. V. Lomonosov Moscow State University, Leninskie Gory 1, Moscow 119991, Russia) ,  Gonchar K. A. (Physics Department, M. V. Lomonosov Moscow State University, Leninskie Gory 1, Moscow 119991, Russia) ,  Eliseev A. A. (Department of Material Sciences, M. V. Lomonosov Moscow State University, Leninskie Gory 1, Moscow 119991, Russia) ,  Timoshenko V. Yu. (Physics Department, M. V. Lomonosov Moscow State University, Leninskie Gory 1, Moscow 119991, Russia) ,  Timoshenko V. Yu. (Lebedev Physical Institute RAS, Leninsky Ave. 53, Moscow 119991, Russia) ,  Timoshenko V. Yu. (National Research Nuclear University “MEPhI”, PhysBio Institute, Kashirskoe sh. 31, 115409 Moscow, Russia)
資料名： International Journal of Nanoscience  (International Journal of Nanoscience)
巻： 18  号： 3-4  ページ： 1940030  発行年： 2019年 
JST資料番号： A1345A  ISSN： 0219-581X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100[数式:原文を参照]nmのオーダーの断面サイズをもつシリコンナノワイヤ(SiNW)のアレイにおける自由電荷キャリア濃度を,減衰全反射モードにおける赤外分光法によって定量的に研究した。金属支援化学エッチングにより光ドープp型結晶シリコン基板上にSiNWを形成し,続いて900~1000°Cでのホウ素の熱活性化拡散による付加的ドーピングを行った。後者のプロセスは,[数式:原文を参照] [数式:原文を参照] cm [数式:原文を参照]までのSiNWにおける自由孔の濃度を増加させることが分かった。熱電エネルギー変換器と赤外プラズモン素子における高ドープSiNWの潜在的応用を論じた。Copyright 2019 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  基板 ,  エネルギー変換 ,  *電荷 ,  *診断 ,  フォトドーピング ,  赤外分光法 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  *赤外線 ,  ホウ素
準シソーラス用語： 熱活性化 ,  減衰全反射 ,  *電荷キャリア ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ドープシリコンナノワイヤアレイ ,  金属支援化学エッチング ,  減衰全反射

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノワイヤー ,  電荷キャリア ,  赤外 ,  診断