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J-GLOBAL ID：201902225891235826   整理番号：19A1888102

室温LiBH_4における高速リチウムイオン移動【JST・京大機械翻訳】

Fast Lithium Ion Migration in Room Temperature LiBH₄

著者 (2件)： Lee Young-Su (High Temperature Energy Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Cho Young Whan (High Temperature Energy Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Republic of Korea)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 33  ページ： 17773-17779  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶系LiBH_4(o-LiBH_4)の欠陥構造とLiイオン拡散機構を,o-LiBH_4におけるLiイオン輸送を解明するために第一原理計算によって研究した。二つの準安定Li格子間サイトが同定され,SchottkyとFrenkel欠陥対の形成エネルギーは1.2~1.4eVと計算され,前者はわずかに容易に形成された。固有欠陥を形成するのに必要なエネルギーは六方晶LiBH_4(h-LiBH_4)のそれより高い。一方,Li空格子点または格子間距離の移動エネルギー障壁は,h-LiBH_4のそれに匹敵する0.1~0.3eVの範囲であった。したがって,より高い欠陥形成エネルギーは,主としてo-LiBH_4のはるかに低いLiイオン伝導率を説明する。Liイオン伝導に対する計算した全体活性化障壁は実験的活性化エネルギーと良く一致した。分子動力学シミュレーションにより,格子間および格子間の両方の機構がLi格子間拡散に対して作用し,相互接続格子間サイトが高速拡散経路を構成することを実証した。シミュレーション結果は,欠陥または界面工学によるキャリア密度の増強が,o-LiBH_4のイオン伝導率を著しく高めることを指摘した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  界面 ,  *リチウム ,  計算 ,  *高速度 ,  六方晶系 ,  イオン伝導 ,  計算機シミュレーション ,  イオン拡散 ,  イオン輸送 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション ,  イオン伝導率 ,  エネルギー障壁 ,  形成エネルギー ,  第一原理計算 ,  *リチウムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 室温 ,  リチウムイオン