文献

J-GLOBAL ID：201902225985431374   整理番号：19A1414000

薄いハフニウム中間層を介した半金属補償フェリ磁性体への垂直強磁性体の交換結合【JST・京大機械翻訳】

Exchange coupling of a perpendicular ferromagnet to a half-metallic compensated ferrimagnet via a thin hafnium interlayer

著者 (6件)： Borisov Kiril (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland) ,  Atcheson Gwenaeel (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland) ,  D’Arcy Gavin (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland) ,  Lau Yong-Chang (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland) ,  Coey J. M. D. (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland) ,  Rode Karsten (CRANN, AMBER and School of Physics, Trinity College, Dublin 2, Ireland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 10  ページ： 102403-102403-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ0.7nmのマンガンに対する有効拡散障壁と垂直磁気異方性を持つサンドイッチ構造における有効交換結合層として,薄いハフニウム膜が作用することを示した。二つの磁気層はCo_20Fe_60B_20と低モーメントフェリ磁性Mn_2Ru_xGa(MRG)である。磁気層の相対配向はMRGの補償温度で符号を変化させた。交換エネルギーは最も薄いHf中間層に対して0.11mJ/m2に達した。薄膜ヘテロ構造における強磁性層の結合のための通常の金属であるルテニウムは,Ru相互拡散のためにゼロモーメント半金属MRGでは使用できない。補償近くの大きな保磁力のために,MRGは交換ピン止めの有効なソースとして潜在的に作用することができる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピン止め ,  マンガン ,  垂直磁気異方性 ,  薄膜 ,  ルテニウム ,  モーメント ,  *フェリ磁性 ,  *ハフニウム ,  *強磁性体 ,  *強磁性 ,  保磁力 ,  *半金属
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *交換結合 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ハフニウム ,  中間層 ,  半金属 ,  補償 ,  フェリ磁性体 ,  垂直 ,  強磁性体 ,  交換結合