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J-GLOBAL ID：201902226063405002   整理番号：19A2758456

異なる原子質量の120MeV高エネルギーイオンビームで照射した電気化学的に合成した自立Cuナノワイヤの電子エネルギー損失(S_E)感度【JST・京大機械翻訳】

Electronic energy loss (S _e) sensitivity of electrochemically synthesized free-standing Cu nanowires irradiated by 120 MeV high energy ion beam of different atomic mass

著者 (2件)： Gupta Rashi (University School of Basic and Applied Sciences, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi, India) ,  Kumar Rajesh (University School of Basic and Applied Sciences, Guru Gobind Singh Indraprastha University, New Delhi, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 125  号： 12  ページ： 1-15  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム照射は種々の潜在的応用のために銅ナノワイヤの特性を調整する技術である。テンプレート支援電気化学蒸着により調製した銅ナノワイヤを,1×10~11,5×10~11,1×10~12および5×10~12イオン/cm2の異なるフルエンスで,それぞれ2種類のイオン16S~32および79Au~197(エネルギー=120MeVおよびCharge状態=9+)で照射し,ナノワイヤの性質の変化におけるS_eの役割を研究した。材料媒体中の入射イオンによって蒸着されたエネルギーの速度は,Be-Bloch式によって支配される入射イオンの原子数の線形関数であり,同じホストマトリックス中の両イオンによって生成された修正は異なる。走査型Electron顕微鏡グラフは,ナノワイヤが,イオンと全ての照射フルエンスにおいて,照射に対してそれらの完全性を維持することを明らかにした。X線回折測定を用いて,構造特性に及ぼす照射の影響を調べた。照射により,ピーク強度は照射誘起欠陥により著しく変化し,Harris式を用いて定量的に計算した。照射前後の結晶サイズ,表面形態,転位密度,強化係数,歪,応力および光学特性を解析した。ナノワイヤの結晶子サイズはイオンフルエンスの増加と共に増加し,また,硫黄(9+)イオンで照射したナノワイヤでは歪と転位密度値は減少し,Gold(9+)イオンで照射したナノワイヤでは反対の傾向が観察された。I-V特性曲線から得られた抵抗率データは,0.52の表面鏡面係数を有する結合Fuchs-SondheimerモデルとMayadas-Shatzkesモデルによって定義された。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フルエンス ,  光学的性質 ,  *電気化学 ,  構造特性 ,  *イオン ,  完全性 ,  イオン照射 ,  結晶 ,  電気抵抗率 ,  *ナノワイヤ ,  媒質 ,  結晶粒径 ,  転位密度 ,  *銅 ,  X線回折

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 原子質量 ,  高エネルギーイオン ,  ビーム ,  電気化学 ,  自立 ,  Cu ,  ナノワイヤ ,  電子エネルギー ,  損失 ,  感度